產(chǎn)品名稱：二硅化鑭（LaSi2）
規(guī)格：0.8-10um（D50）
形貌：不規(guī)則
顏色：黑灰色
特點：電阻率高、熱膨脹系數(shù)較低、優(yōu)異的熱穩(wěn)定性
用途：電熱設(shè)備、高溫傳感器、耐高溫陶瓷材料、高溫工具和導(dǎo)熱材料等領(lǐng)域
中文名：硅化鑭
英文名：Lanthanum disilicide
化學(xué)式：LaSi2
分子量：195.0765
CAS登錄號：12056-90-5
EINECS登錄號：235-017-4
密度（g/mL,25℃）：5.0
性質(zhì)與穩(wěn)定性：電阻率比相應(yīng)金屬大，電阻溫度系數(shù)為正，但在500℃變?yōu)樨?。易與鹽酸、氟氫酸作用。
合成方法
1）將單質(zhì)Si和金屬鑭粉末按比例混合，壓塊，在真空中熔化可得。
2）La、Si、Hg混合物在石英管中用電爐在約450℃溫度下加熱10～12h，過量的汞使用彎管蒸餾，當汞在管的冷端收集完畢后，在管的熱端加熱至450～600℃對產(chǎn)物進行退火處理。
應(yīng)用領(lǐng)域：
1. 熱電材料 ：硅化鑭具有較高的電導(dǎo)率和較低的熱導(dǎo)率，符合優(yōu)質(zhì)熱電材料的標準（高ZT值），可將廢熱直接轉(zhuǎn)化為電能。
- 工業(yè)廢熱回收系統(tǒng)（如發(fā)電廠、鋼鐵廠）。
- 深空探測器的放射性同位素?zé)犭姲l(fā)電機（RTG）。
2. 電子器件 ：金屬-半導(dǎo)體過渡特性，低電阻率。
- 集成電路 ：作為連接材料或擴散阻擋層，尤其在高溫電子器件中。
- 薄膜技術(shù) ：用于制備透明導(dǎo)電薄膜（如觸摸屏、太陽能電池電極）。
3. 催化領(lǐng)域 ： La的d軌道電子和表面活性位點可促進反應(yīng)。
- 甲烷重整制氫：LaSi?基催化劑在高溫下表現(xiàn)出穩(wěn)定性。
- 汽車尾氣處理：作為三元催化劑的助劑，提升NO?還原效率。
4. 高溫結(jié)構(gòu)材料 ：高熔點（＞1500℃）、抗氧化性。
- 航空發(fā)動機渦輪葉片涂層。
- 核反應(yīng)堆耐高溫組件（如包殼材料）。
5. 儲氫材料 ：La的吸氫能力與硅的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)結(jié)合，可能形成可逆儲氫體系。
6. 涂層與復(fù)合材料 ：抗高溫氧化、耐腐蝕。
- 金屬基體（如鈦合金）表面防護涂層。
- 與碳化硅復(fù)合，提升陶瓷材料的斷裂韌性。
存儲方法：本品應(yīng)密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中，不宜長久暴露于空氣中，防受潮發(fā)生團聚，影響分散性能和使用效果，另應(yīng)避免重壓，勿與氧化劑接觸，按照普通貨物運輸。
